化学气相淀积相关论文
本课题主要对金属层间介质薄膜的片内厚度均匀性这一重要的集成电路制造工艺指标展开研究,从金属层间介质薄膜的化学气相淀积（Chemi......
用化学气相淀积(CVD)的方法, 在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层, 继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显......
应用相干反斯托克斯喇曼光谱(CARS)技术对硅甲烷(SiH4)的射频放电分解进行在位诊断.基于硅甲烷v1振动模CARS信号强度的变化,研究了......
<正>一、光化学气相淀积工艺概述在集成电路的各种低温淀积技术中,光化学气相淀积(光CVD)技术.是最年轻、最有前途的.光CVD是利用......
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SE......
用等离子体增强化学气相淀积制备了Ge掺杂SiO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的退火处理。采用棱镜耦合仪、原子力显微镜和傅里叶变......
介绍了ＳｉＣ材料的生长及器件制备技术，分析了目前ＳｉＣ器件及集成电路等方面的研究现状，并讨论了存在的各种问题．
The growth of SiC material......
本文给出了以WF6或WCl6为钨源,以硅烷或氯硅烷为硅源的硅化钨气相淀积体系的热力学研究结果。结合实验,讨论了热力学结果对实验的......
MOCVD(金属有机化合物化学气相淀积),是第三代新型半导体材料GaN生长技术。多片式MOCVD设备的成功研制,给半导体材料的应用提供了......
近年来,具有高密度、高速度和低功耗等特点的非挥发性存储器件在存储器的发展过程当中占据着越来越重要的地位。而在众多的新型非......
金属有机物化学气相淀积(MOCVD)是近年来迅速发展起来的一种无机材料薄膜制备技术。因其具有淀积温度低、生长速率快、组成易于控......
GaN基半导体作为一种新的光电功能材料，以其宽直接带隙、高稳定性、高热导率、高硬度等优良性质，可广泛应用于显示指示、固态照明、......
III族氮化物半导体以其宽禁带和直接带隙成为制备电力电子器件 (微波电子器件和功率电子器件) 和光电器件重要的半导体材料之一。G......
学位
石墨烯是世界上第一种被制备出的二维材料，它的出现打破了二维材料不会实际存在的理论，同时引起了世界上科学家们的广泛关注。就石墨......
采用新近研制的高真空／快速热处理／化学气相淀积（HV／RTP／CVD）系统生长了应变SiGe材料．通过仔细设计的处理过程可以得到器件质量的材料．Ge组......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
化学气相淀积金刚石薄膜过程中,CH3和C2H2是金刚石生长的主要前驱基团.C2H2与CH3浓度比([C2H2]/[CH3])的变化将影响金刚石薄膜的生......
随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地......
用非平衡热力学耦合模型研究了金刚石在ＣＨＣｌ体系中的生长，计算所得ＣＨＣｌ体系的金刚石生长的相图与大量实验结果符合良好．通过热力学分......
以 Ti Cl4+ O2 为反应体系 ,从热力学和动力学的角度出发 ,讨论了 RF- PCVD法制备Ti O2 超细粉成核过程的温度范围。设计了实验用......
采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900～1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H-SiC单晶薄膜.其晶体质量和结构由X......
用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包......
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的......
本工作采用化学气相淀积方法,以GeH4为反应气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge......
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过能量色散谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)......
采用金属有机化合物的化学气相淀积法 ,以 β-二酮螯合物为源物质 ,在多孔 Al2 O3 衬底上成功制备了超薄钯钇合金膜 .用 Pd( Ac Ac......
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SE......
